ФОТО ГАЛЕРЕЯ ЛАБОРАТОРИИ
БАЗА НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
Научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы проводятся на базе совместной с Дагестанским государственным университетом (ДГУ) лаборатории. Задача совместной лаборатории – создание и развитие новых прикладных технологий в области тонких пленок, в частности:
- Разработка и тестирование физхимии осаждения новых функциональных покрытий для микроэлектроники, биоинжиниринга, композиционных материалов, фотокатализа, ювелирных изделий и т.д.
- Тестирование нового вакуумного оборудования, электроники, программного обеспечения, систем нагрева, термостатирования и мониторинга процесса осаждения (КПМ) и т.д.
- Дизайн нового вакуумного оборудования, использование накопленного научного потенциала ДГУ для дизайна новых источников плазмы для плазмо-стимулированных методов осаждения и травления тонких пленок (ПС-АСО и ПС-АСТ).
Все новые наработки и полученный опыт используются при сборке и наладке предлагаемого нашей компанией оборудования. В свою очередь, студенты ДГУ получают возможность получить опыт работы на современном оборудовании и проводить научные эксперименты.
ПУБЛИКАЦИИ:
Список опубликованных научных статей, выполненных с использованием оборудования АСО НаноТех:
A1. Abdulagatov A.I., Orudzhev F.F., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M., Copper Nanowire Arrays Surface Wettability Control Using Atomic Layer Deposition of TiO2, Russ. J. Appl. Chem., 2016, 89(8), 1265-1273.
A2. Abdulagatov A.I., Ramazanov Sh. M., Dallaev R. S., Murliev E. K., Palchaev D. K., Rabadanov M. Kh., Abdulagatov I.M., Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Using Tris(diethylamido)aluminum and Hydrazine or Ammonia, Russ. Microelectron., 2018, 47(2), 118-130
A3. Abdulagatov A.I., Ashurbekova Kr.N., Ashurbekova Ka.N., Amashaev R.R., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M. Molecular Layer Deposition and Thermal Transformations of Titanium(Aluminum)-Vanadium Hybrid Organic-Inorganic Films, Russ. J. Appl. Chem., 2018, 91(3), 347-359.
A4. Abdulagatov A.I., Amashaev R.R., Ashurbekova Kr.N., Ashurbekova Ka.N., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M., Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride and Oxynitride on Silicon Using Tris(dimethylamido)aluminum, Ammonia, and Water, Russ. J. Gen. Chem. 2018, 88(8), 1699-1706.
A5. Abdulagatov A.I., Amashaev R.R., Ashurbekova Kr.N., Ramazanov Sh.M., Palchaev D.K., Maksumova A.M., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M. Atomic Layer Deposition of Y2O3 Using Tris(butylcyclopentadienyl)yttrium and Water, Russ. Microelectron. 2019, 48(1), 1-12.
A6. Abdulagatov A.I., Ramazanov Sh.M., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M. Atomic Layer Deposition of TiN Using Titanium tetrachloride and Hydrazine, 2020, accepted Russ. Microelectron.
A7. Abdulagatov A.I., Maksumova A.R., Palchaev D.K., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M. Atomic Layer Deposition and Thermal Transformations of Titanium-Vanadium Oxide Thin Films, accepted Russ. J. Appl. Chem., 2020
ПАТЕНТЫ:
На данный момент поданы заявки на патенты в области инкапсуляции имплантов и методе получения ультра-тонких равномерных покрытий карбида кремния (3C-SiC) на кремнии (Si<100> или Si<111>). Номер патентов будет опубликован в скором времени.