Компания является Обществом с Ограниченной Ответственностью «АСО НаноТех».
Учредитель – Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Дагестанский государственный университет». Основанный в 1931 году, Дагестанский государственный университет (ДГУ) — крупнейшее учебное заведение Республики Дагестан (Россия).
ПУБЛИКАЦИИ:
Список опубликованных научных статей, выполненных с использование оборудования АСО НаноТех:
A1. Abdulagatov A.I., Orudzhev F.F., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M., Copper Nanowire Arrays Surface Wettability Control Using Atomic Layer Deposition of TiO2, Russ. J. Appl. Chem., 2016, 89(8), 1265-1273.
A2. Abdulagatov A.I., Ramazanov Sh. M., Dallaev R. S., Murliev E. K., Palchaev D. K., Rabadanov M. Kh., Abdulagatov I.M., Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride Using Tris(diethylamido)aluminum and Hydrazine or Ammonia, Russ. Microelectron., 2018, 47(2), 118-130
A3. Abdulagatov A.I., Ashurbekova Kr.N., Ashurbekova Ka.N., Amashaev R.R., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M. Molecular Layer Deposition and Thermal Transformations of Titanium(Aluminum)-Vanadium Hybrid Organic-Inorganic Films, Russ. J. Appl. Chem., 2018, 91(3), 347-359.
A4. Abdulagatov A.I., Amashaev R.R., Ashurbekova Kr.N., Ashurbekova Ka.N., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M., Atomic Layer Deposition of Aluminum Nitride and Oxynitride on Silicon Using Tris(dimethylamido)aluminum, Ammonia, and Water, Russ. J. Gen. Chem. 2018, 88(8), 1699-1706.
A5. Abdulagatov A.I., Amashaev R.R., Ashurbekova Kr.N., Ramazanov Sh.M., Palchaev D.K., Maksumova A.M., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M. Atomic Layer Deposition of Y2O3 Using Tris(butylcyclopentadienyl)yttrium and Water, Russ. Microelectron. 2019, 48(1), 1-12.
A6. Abdulagatov A.I., Ramazanov Sh.M., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M. Atomic Layer Deposition of TiN Using Titanium tetrachloride and Hydrazine, 2020, accepted Russ. Microelectron.
A7. Abdulagatov A.I., Maksumova A.R., Palchaev D.K., Rabadanov M.Kh., Abdulagatov I.M. Atomic Layer Deposition and Thermal Transformations of Titanium-Vanadium Oxide Thin Films, accepted Russ. J. Appl. Chem., 2020.
ПАТЕНТЫ:
На данный момент поданы заявки на патенты в области инкапсуляции имплантов и методе получения ультра-тонких равномерных покрытий карбида кремния (3C-SiC) на кремнии. Номера патентов будут опубликованы в скором времени.